Читать онлайн «Радиоприемник с электронной настройкой»

Г . Веденеев и В. Е. Вершин «4* щ - T>%i АДИОПРИЕ НИ СЭЕК РОВНОЙ НАС 90 КО —■—, МАССОВАЯ I госэнергоиэдат ?| РАДИ• / . ИБЛИ01Е J из / МАССОВАЯ РАДИОБИБЛИОТЕКА Выпуск 472 Г. М. ВЕДЕНЕЕВ и В. Е. ВЕРШИН РАДИОПРИЕМНИК С ЭЛЕКТРОННОЙ НАСТРОЙКОЙ ГОСУДАРСТВЕННОЕ Э1 ПАТЕТИЧЕСКОЕ ИЗДАТЕЛЬСТВО МОСКВА 1963 ЛЕНИНГРАД РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ: Берг А. И. , Бурдейный Ф. И. , Бурлянд В. А. , Вамееа В. И. , Геништа Е. Н. , Джигит И. С, Канаева А. М„ Кренкель Э. Т. , Куликовский Л. А. , Смирнов А. Д. , Тарасов Ф. И. , Шамшур В. И, Рассмотрены вопросы использования р-п перехода в резонансном контуре, возможности при- менения кремниевых стабилитронов в качестве управляемой емкости, а также особенности проектирования с ними радиоаппаратуры. Как пример привадится подробное описание самодельного приемника прямого усиления с настройкой контура емкостью кремниевого стабилитрона. Брошюра рассчитана на радиолюбителей-конструкторов, знакомых с основали электроники полупроводников. СОДЕРЖАНИЕ Электронный управляемый конденсатор * в * щ Кремниевый стабилитрон в качестве управляемого конденсатора в резонансном контуре Приемник прямого усиления с управляемым полупровод- виковым конденсатором s , t . s i j . в » ' ЭЛЕКТРОННЫЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ КОНДЕНСАТОР Работа р-п перехода на обратной ветви вольт-амперной характеристики. Как известно, при приложении к р-п переходу напряжения в непроводящем направлении основные носители тока (в материале rt-типа — электроны, в материале р-типа—дырки), находя- Щиеся близ границы р-п перехода, под действием электрического поля стремятся в глубь материала полупроводника. Однако они не могут уйти от перехода, так как поле оставшихся у перехода ионизированных атомов примесей будет противодействовать их движению. Таким образом, в области перехода вскоре установится некоторое состояние равновесия, и ток во внешней цепи будет отсутствовать. С увеличением запирающего напряжения область пространственного заряда у перехода будет все больше и больше расширяться. При некотором определенном значении приложенного напряжения напряженность поля в переходе окажется столь высокой, что голе сможет перетянуть носители тока из одной области материала в другую и тогда в переходе наступит пробой. В зависимости от ширины перехода и материала полупроводника может наблюдаться пробой либо лавинного типа, либо зенеровский, либо оба типа пробоя одновременно. В области, предшествующей пробою, в переходе уже появляется повышенный шумовой ток (неустойчивые, локализованные пробои). Переход, работающий в запирающем направлении, в преднро- бойной области может быть представлен как конденсатор, обкладками которого служат области пространственного заряда у перехода, связанные с перемещением носителей тока, а изолирующей прокладкой (диэлектриком) служит слой полупроводника, обедненного носителями. Энергия же, затрачиваемая на расширение области пространственного заряда, может быть представлена как энергия, идущая на заряд этого эквивалентного конденсатора.