Читать онлайн «Свойства и параметры фотопроводимости полупроводниковых фоторезисторов»

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) КАФЕДРА ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ (ЭП) СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОРЕЗИСТОРОВ Методическое пособие к лабораторной работе для студентов бакалавриата по направлению 11. 03. 04210100. 62 – Электроника и наноэлектроника Профиль: «Квантовая и оптическая электроника» Разработчик: профессор кафедры ЭП ________ В. Н. Давыдов « 15 » марта 2016 года ТОМСК – 2016  СОДЕРЖАНИЕ 1. Введение 2. Теоретическая часть 2. 1. Основные понятия и параметры 2. 2. Фотопроводимость полупроводников. Собственная и примесная фотопроводимость 2. 3. Полевые свойства фотопроводимости 2. 4. Частотные свойства фотопроводимости 3. Вопросы для самостоятельной проверки знаний 4. Экспериментальная часть 4. 1. Описание экспериментальной установки 4. 2. Задание к лабораторной работе 4. 3 Методические указания к выполнению работы 4. 4. Порядок выполнения работы 5. Требования к составлению и оформлению отчета 6. Литература 2  1. ВВЕДЕНИЕ Цель данной работы – изучение процессов, протекающих в фоторезисторе при его ос- вещения непрерывным излучением различной частоты и при различных значениях напряже- ния, приложенного к фоторезистору, а также вычисление из полученных зависимостей па- раметров полупроводника. 2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ В полупроводниках, в отличие от металлов, под влиянием внешних воздействий (ос- вещения, электрического поля и т. д. ) концентрации электронов и дырок могут изменяться во много раз. Это приводит к ряду специфических явлений, которые лежат в основе действия многих полупроводниковых приборов. К таким явлениям можно отнести фотопроводимость полупроводников. Являясь физически простым, данное явление позволяет изучить основные черты и многие особенности формирования фотоэлектрических характеристик разнообраз- ных полупроводниковых приборов. Данная лабораторная работа имеет своей целью помочь студентам инженерных спе- циальностей понять физику формирования фотопроводимости в полупроводнике, освоить экспериментальные методы исследования свойств фотопроводимости, а также в наглядной форме наблюдать влияние величины электрического поля, уровня тестового освещения, час- тоты его модуляции и мощности фоновой подсветки на фотопроводимость и ее свойства. 2. 1. Основные понятия и параметры При нарушении термодинамического равновесия, например, при освещении полупроводника, концентрации электронов и дырок в зонах (n и p) изменяются по сравне- нию с их равновесными значениями n0 и p0, т. к.