Читать онлайн «Статистическая физика. Вопросы и ответы : учебно-метод. пособие по дисциплине «Квант. механика и стат. физика» для студентов с 1 01 03 «Квант. информ. системы» и I-41 01 02 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы» всех форм обучения»

Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" Кафедра микроэлектроники И. И. Абрамов Р УИ БГ Моделирование МОП-структур а ек Учебно-методическое пособие к лабораторным работам по дисциплине «Моделирование технологических процессов и т элементов интегральных схем» для студентов специальности 41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» ио дневной формы обучения бл Би Минск 2004 УДК 621. 382 (075. 8) ББК 32. 85 я 73 А 16 Р УИ Абрамов И. И. А 16 Моделирование МОП-структур: Учебно-метод. пособие к лаб. рабо- БГ там по дисц. «Моделирование технологических процессов и элементов интегральных схем» для студ. спец. 41 01 02 Микро- и наноэлектронные технологии и системы дневн. формы обуч. / И. И. Абрамов. – Мн. : БГУИР, 2004. – 22 с. : ил. а ISBN 985-444-714-6 ек В учебно-методическом пособии приведены описание двумерной численной модели и задания к циклу лабораторных работ по моделированию МОП-структур. Пособие предназначено для студентов старших курсов специальностей, т связанных с микроэлектроникой, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим модели элементов интегральных микросхем в своих ио исследованиях. УДК 621. 382 (075. 8) ББК 32. 85 я 73 бл Би ISBN 985-444-714-6 © Абрамов И. И. , 2004 © БГУИР, 2004  Содержание Двумерная численная модель МОП-транзистора Задания к лабораторным работам Лабораторная работа №1 «Моделирование идеальной МОП-структуры» Лабораторная работа №2 «Моделирование выходных характеристик МОП- транзистора с коротким каналом» Лабораторная работа №3 «Моделирование передаточных характеристик МОП- Р транзистора с коротким каналом в подпороговой области» Лабораторная работа №4 «Моделирование выходных характеристик МОП- УИ транзистора с длинным каналом» Лабораторная работа №5 «Моделирование влияния концентрации примеси в подложке на выходные характеристики МОП-транзистора с коротким каналом» Лабораторная работа №6 «Моделирование влияния ударной ионизации и БГ эффектов сильного легирования на выходные характеристики МОП-транзистора с коротким каналом» Лабораторная работа №7 «Исследование влияния точности моделирования на передаточные характеристики МОП-транзистора с коротким каналом» а Литература ек т ио бл Би  Двумерная численная модель МОП- транзистора Диффузионно-дрейфовая модель (ДДМ) МОП-транзистора основывается на фундаментальной системе уравнений (ФСУ) физики полупроводников, а именно:  n / t   J n / q  R ; (1)  p / t   J p / q  R ; (2) Р    q p  n  N Д  N А  ; (3) УИ  ~ J n  qn n    A V g   q T  n n ;  (4)    ~ J p  qp p    1  A  V g   q T  p p , (5) БГ   где в случае учета эффектов сильного легирования (ЭСЛ) ~ n  ni 0 exp AV g /  T  exp   n  /  T  ;  (6)   а ~ p  ni 0 exp 1  A  V g /  T  exp   p    /  T .   (7) ек   т Здесь (1), (2)  уравнения непрерывности электронов и дырок, (3)  уравнение Пуассона, (4), (5)  уравнения переноса для плотностей токов ио электронов и дырок.