Читать онлайн «Кадровая развертка на транзисторах»

MAC ОЕАЯ . С. Тихомиров |ради» Sf . БИБЛИОТЕ Р/13ВЕ' ' НА ТРАНЗИСТОРАХ ^ МАССОВАЯ РАДИОБИБЛИОТЕКА Выпуск 649 В. С. ТИХОМИРОВ КАДРОВАЯ РАЗВЕРТКА НА ТРАНЗИСТОРАХ ШШЩ0ЯМ ш «Э Н Е Р Г И Я» МОСКВА 1968 УДК 621. 397. 332. 121:621. 382. 3 6ФЗ Т46 РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ: Берг А. И. , Бурдейный Ф. И. , Бурлянд В. А. , Ванеев В. И. , Геништа Е. Н. , Жеребцов И. П. , Канаева А. М. , Корольков В. Г. , Кренкель Э. Т. , Куликовский А. А. , Смирнов А. Д. , Тарасов Ф. И. , Шамшур В. И. Тихомиров В. С. Т46 Кадровая развертка на транзисторах. М. , «Энергия», 1968 г. 56 с. с илл. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 649) 60 000 экз. 17 к, t Рассматриваются особенности транзисторных схем кадровой развертки телевизора, приводятся основные расчетные соотношения, даются практические схемы и рекомендации по их наладке и регулировке. Брошюра пре дназначена для подготовленных радиолюбителей-конструкторов, а также может быть полезной радноспециали- стам, занимающимся разработкой и эксплуатацией телевизионной аппаратуры- 3-4-5 6ФЗ 322-67 Тихомиров Валентин Сергеевич Кадровая развертка на транзисторах Редактор В Я Ротенберг. Техн. редактор В. В. Зеркаленкова Слано в набор 21/1 1967 г. Подписано к печати 8/VI 1967 г. Т-06935 Формат 84хЮ8'/за Бумага типографская № 2 Усл. печ. л. 2,94 Уч. -изд. л. 4,09 Тираж 60 000 экз. " Цена 17 коп. Зак. 124 Издательство «Энергия», Москва Ж-114, Шлюзовая наб. , 10. Владимирская типография Главполиграфпрома Комитета по печати при Совете Министров СССР. Гор. Владимир, ул. Победы, д. 18-6. Отпечатано на Чеховском полиграфкомбинате. Зак. 746 ГЛАВА ПЕРВАЯ ОБЩИЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ И ОСОБЕННОСТИ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ Основные свойства транзисторов Транзисторы выгодно отличаются от электронных ламп малой потребляемой мощностью и более высоким к. п. д. , значительно большим сроком службы, малыми габаритами и собственным весом, значительно большей механической прочностью и способностью работать при относительно малом напряжении источника питания. Наряду с положительными свойствами транзисторы имеют весьма существенные недостатки, которые необходимо учитывать при конструировании схем: значительный разброс параметров; зависимость параметров от температуры, электрического режимами частоты; значительно меньший, чем у электронных ламп, коэффициент усиления по мощности; ограниченный диапазон рабочих температур; невозможность использования при повышенных напряжениях источников питания. Большинство этих недостатков принципиально неустранимо, так как они обусловлены физическими свойствами полупроводниковых материалов. Вместе с тем эти недостатки в большой степени являются следствием несовершенства технологии производства полупроводниковых приборов и будут менее ощутимы по мере совершенствования технологических процессов. Разброс параметров транзисторов затрудняет взаимозаменяемость однотипных транзисторов. Стремление конструктора обеспечить взаимозаменяемость неизбежно ведет к схемным усложениям, что в ряде случаев ставит под сомнение целесообразность применения транзисторных схем.