В. Л. Ткалич, В. Н. Фролков, К. О. Ткачев
А. Н. Волченко, А. А. Киянов
Физические основы
микроэлектроники
Санкт-Петербург
2009
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ
В. Л. Ткалич, В. Н. Фролков, К. О. Ткачев,
А. Н. Волченко, А. А. Киянов
Физические основы
микроэлектроники
Учебное пособие
Санкт-Петербург
2009
1
В. Л. Ткалич, В. Н. Фролков, К. О. Ткачев, А. Н. Волченко, А. А. Киянов. «Физические
основы микроэлектроники».
Методические учебное пособие к лабораторному
практикуму – СПб. СПбГУ ИТМО, 2009 – 101с. Пособие соответствует утвержденной учебной программе по направлению
210202 - «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств». Предназначено для студентов, выполняющие работы лабораторного практикума по
дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Пособие содержит описание
лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы
и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных Технологий и
Управления, обучающихся по направлению: 210202 – «Проектирование и технология
электронно-вычислительных средств». В 2007 году СПбГУ ИТМО стал победителем конкурса инновационных
образовательных программ вузов России на 2007-2008 годы. Реализация
инновационной образовательной программы «Инновационная система подготовки
специалистов нового поколения в области информационных и оптических технологий»
позволит выйти на качественно новый уровень подготовки выпускников и
удовлетворить возрастающий спрос на специалистов в информационной, оптической и
других высокотехнологичных отраслях экономики. © Санкт-Петербургский государственный университет
информационных технологий, механики и оптики, 2009. © Ткалич В. Л. , Фролков В. Н. , Ткачев К. О. , Волченко А. Н. , Киянов А. А.
2
Оглавление
Введение………………………………………………………………………………………6
Лабораторная работа №1. Исследование p-n переходов интегральных схем………………………………. 7
Лабораторная работа №2. Исследование электрических характеристик биполярных транзисторов…22
Лабораторная работа №3. Исследование температурной зависимости параметров элементов
интегральных схем………………………………………………………………………... 57
Лабораторная работа №4. Вольт-фарадные характеристики МОП-структур. ……………………………66
Список литературы. …………………………………………………………………………82
3
ВВЕДЕНИЕ
Данное учебное пособие предназначено для студентов, выполняющих
работы лабораторного практикума по дисциплине «Физические основы
микроэлектроники». Дисциплина «Физические основы микроэлектроники» посвящена
рассмотрению физических основ технологических процессов микро- и
наноэлектроники (получение тонкопленочных структур, создание и
перенос литографического изображения, методы модификации
поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и
метрологии).