Читать онлайн «В лабиринте силовой электроники»

■Ы& **r* r %' i era- \ ^«»* *4 lb-*. / V. . ";V № "I '" " . ж*! ia- . ^. , 'r ,«: ""■ M _ •S™rv- ■4J*4 J- -A. -fiS**;. ^™ J?-"' ■* "-s *■$ *£6л£Я«£у. ¥ > дни «. * $&*£'*-. ■■ &. &$&*■**' У Дч- ^m VV TRi ШЯГ J . . ■"■■■■ -viii, ■ ■;/■■* '***'*■ ■• &■■■'" - *-'-^' *T? w--fVl-' ■■*» ■s . . . V- <%: "■ ' t I' А. И. Колпаков <9 AftOlAp1/U\*u4, с/кло*€о1л, Э/lJUcwi ОКЛДДСК Санкт-Петербург 2000 Андрей Ильич Колпаков В лабиринте силовой электроники (сборник статей) - СПб: "Издательство Буковского", 2000. - 96 с: ил. ISBN 5-88407-105-1 В сборнике "В лабиринте силовой электроники" рассмотрены пути решения проблем, возникающих при создании силовых электронных устройств, преобразователей постоянного и переменного тока на транзисторах M05FET и IGBT. Особое значение автор придает предварительному компьютерному анализу тепловых режимов работы транзисторов, без которых невозможно обеспечить надежность работы схемы при заданных значениях тока, напряжения, частоты, температуры окружающей среды. ISBN 5-88407-105-1 © А. И. Колпаков © Компьютерный дизайн и верстка И. Н. Абдулина, Н. Г. Абдулин Статьи, предлагаемого читателям сборника, объединяет общая тема. Все они посвящены особенностям применения компонентов силовой электроники - наиболее динамично развивающейся области электронной техники. Значительные успехи силовой электроники и интерес, проявляемый к ней, объясняются, в первую очередь, появлением на рынке новых, уникальных элементов - транзисторов MOSFETn IGBT. Книг по применению этих элементов на русском языке практически нет. Фирмы-производители предлагают разработчикам технические характеристики. Как правило, они выполнены на высоком уровне,. и информации, содержащейся в них, вполне достаточно для опытных пользователей. Однако, несмотря на кажущуюся простоту схемотехнических решений, существует масса проблем, тонкостей, "подводных камней", которые поджидают как начинающих и, так и опытных разработчиков на каждом шагу. Более чем Ю-летний опыт работы с компонентами ведущих фирм мира позволил автору решить ряд вопросов, связанных с их практическим применением. Стремление поделиться результатами этой работы воплотилось в серии статей, вошедших в эту книгу Андрей Колпаков В книге рассмотрены пути решения проблем, возникающих при создании силовых электронных устройств, преобразователей постоянного и переменного тока на транзисторах MOSFET и IGBT. Особое значение автор придает предварительному компьютерному анализу тепловых режимов работы транзисторов, без которых невозможно обеспечить надежность работы схемы при заданных значениях тока, напряжения, частоты, температуры окружающей среды. Автором впервые были разработаны математические макромодели ряда транзисторов и схем управления -драйверов. Эти модели, а также оригинальные методики расчета были использованы при разработке ряда силовых конверторов. Автор имеет большой практический опыт разработки современных преобразователей, поэтому его рекомендации позволяют специалистам сэкономить время, силы и средства при создании силовых устройств. Книга является обобщением ряда статей, опубликованных автором ранее в различных журналах, и будет полезна всем, кто хочет понять и использовать широчайшие возможности современной элементной базы.