Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
Факультет радиотехники и электроники
Кафедра микро- и наноэлектроники
Р
Б. С. Колосницын, Д. А. Котов
УИ
БГ
РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
а
ек
Рекомендовано УМО по образованию в области
информатики и радиоэлектроники
т
в качестве учебно-методического пособия
ио
для специальности 1-41 01 02
«Микро- и наноэлектронные технологии и системы»
бл
Би
Минск БГУИР 2017
УДК 621. 3. 049. 77(076)
ББК 32. 844. 1я73
К61
Р е ц е н з е н т ы:
кафедра радиоэлектроники филиала
«Минский радиотехнический колледж»
учреждения образования «Белорусский государственный
университет информатики и радиоэлектроники»
Р
(протокол №3 от 01. 11. 2014);
УИ
профессор кафедры микро- и нанотехники
Белорусского национального технического университета,
доктор технических наук, профессор В. А. Сычик
БГ
а
Колосницын, Б. С. ек
К61 Расчет параметров элементов интегральных микросхем : учеб. -
метод. пособие / Б. С. Колосницын, Д. А. Котов. – Минск : БГУИР,
2017. – 68 с. : ил. т
ISBN 978-985-543-268-6. ио
Рассмотрены методы проектирования и расчета таких пассивных элементов
ИМС, как тонкопленочные и диффузионные резисторы, конденсаторы,
бл
индуктивности, интегрированные диоды, а также особенности проектирования
биполярных структур ИМС. Приведены методики расчета пленочных резисторов,
конденсаторов, индуктивностей, проводников и контактных площадок. Рекомендовано для студентов всех форм обучения по дисциплине
Би
«Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем». УДК 621. 3. 049. 77(076)
ББК 32. 844. 1я73
ISBN 978-985-543-268-6 © Колосницын Б. С. , Котов Д. А. , 2017
© УО «Белорусский государственный
университет информатики
и радиоэлектроники», 2017
2
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1 КОНСТРУИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ПЛЕНОЧНЫХ ПАССИВНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1. 1 Общие сведения о подложках и их свойствах. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1. 2 Конструкции пленочных резисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Р
УИ
1. 3 Расчет пленочных резисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1. 4 Конструкции пленочных конденсаторов . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . 22
БГ
1. 5 Расчет пленочных конденсаторов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1. 6 Конструкция и расчет пленочных индуктивностей . . . . . . . . . . . . . . 34
1. 7 Расчет пленочных проводников и контактных площадок . . . . . . . . 39
а
ек
2 КОНСТРУКЦИЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМ . . . . . 42
2. 1 Конструкция навесных элементов микросхем. . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
т
ио
2. 2 Конструирование и расчет диодов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2. 3 Особенности топологии интегрированных транзисторов. . . . . . . . . 52
бл
3 КОНСТРУИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ДИФФУЗИОННЫХ
ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Би
3. 1 Конструирование и расчет диффузионных резисторов . . . . . . . . . . . 54
3. 2 Конструирование и расчет диффузионных конденсаторов. . . . . . . . 61
ЛИТЕРАТУРА . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3
ВВЕДЕНИЕ
При конструировании современной радиоэлектронной аппаратуры
используются новые разработки в области микро- и наноэлектроники.