Читать онлайн «Инжекционно-контактные явления в полупроводниках»

АКАДЕМИЯ НАУК УКР АИНСRОй сср ИНСТИТУТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А. Н. ЗЮ2анов, ИНЖЕRЦИОННО С. В. Свечников НОН Т АНТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИНЛХ КИЕВ «НАУНОВА ДУМНА» 1981 YД 537. 311 : 621. 315 Инжекционно-контактные явления в полупроводниках / 3юrанов А. Н. , Свечников с. В... ... . Rиев : Наук. думка, 1981... ... . . 256 с. Рассмотрена физика инжекционвоконтактных явлений вполупровод" никах, ,характеризующихся развитым спектром локальных состояний, широким интервалом значений удельной проводимости и разнообразным набо. . ром контактов к ним (roMoreHHoro и reTeporeHHoro типов). Представлен тео. . ретический и экспериментальный материал по развитию наиболее современ. . пых и обобщенных методов исследования инжекционноконтактных явлений. Показано применение этих методов для разработки элементной базы диэлек" трической и оптической электроники. Для специалистов в области физики полупроводников, электроники, а также для преподавателей и студентов старших курсов физикотехническиXi факультетов и факультетов радиоэлектроники. Ил. 39. Табл. 5. Библиоrр!: с. ! 247:... ... 253 (139 пазв. ). Ответственный редактор М. К. Шейнп,маn Рецензенты В. ! К. МадюmeН,по, В. В последние rоды в связи с ВОЗрОСПIИми требованиями к микроминиатю ризации и оrраничению управляющих мощностей электронных систем все большее значение в ПОЛУПРОВОДНИRОВОМ приборостроении приобретают диэлектрическая электроника и оптоэлектроника, базирующиеся COOTBeT ственно на использовании широкозонных и фоточувствительных полупро- водников. Типичными представителями полупроводников этоrо типа явля- ются соединения rруппы A1IB V1 (CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe и др. ), ха рак... теРИЗyIOщиеся хорошими диэлектрическими свойствами, уникальной фоточувствительностью и высокой технолоrичностью, а также невоторые иэ соединений rруппы A111B V (арсенидофосфиды rаллия), высокоомный кремний, тройные соединения и т. д. Мноrочисленные экспериментальные данные свидетльствуют о наличии в запрещенной зоне таих полупроводников (и 'на их поверхности) чрезвычайно развитоrо спектра локальных состояний лову... шечноrо и рекомбинационноrо типов, проявляющихся в фотопроводимости, фото И: 1 ;влектролюминесценции, а также значительно влияющих на про хождение тока в структурах, изrотовленных на их основе. Высовое удельное сопротивление этих полупроводников, попытки микроминиатюризации при. . боров и снижения общеrо сопротивления за счет уменьшения меЖRонтакт" ных расстояний или повышения смещений приводят к значительной роли в формировании проводимости таких структур Rонтактноивжекционных яв" лений.