,. /
j ") '/' .
. . ' "
.
A. IO. rfect,. .
i3. A. ,
A. и.
адиационные
э 11 екты
6
· и. ь
4
"
-,
ВБК 32. 852
Н62
УДК 621. 3. 049. 77
К омитетом Российской ФедераЦИIf
Издание выпущено. В счет дотации, выданной
по печати.
,.
Н62
Никифоров А. Ю. и др. С / А Ю Никифоров,. Радиационные эффекты в КМОП И . , 1994
В А Т А И Ч у маков. М. : Радио и с-вязь .
. . елец, . .
164 с. с. ил. ISBN 5256012347.
u ыявлению и изучению oco
Приведены результаты иссдедоваюкмооп в интеrральных схем (ИС)
бенностей радиационноrо поведения базовых ст уктурах ИС основных
Дан анализ радиuационных эффекто!3 Вэпитаксиальнй, с диэлектричсКОЙ
КМОПтехнолоrии (монокремниевои, в здействии стационарных и им. изоляцией, кренийнасапфире) :с и PaCMOTpeHЫ различные механизмы
пульсных ионизирующих излучен и' модели базовых элементов. Пред. отказов и описаны электрическ кспе иментальноrо моделирования прИ'
ложены имитационные метод;ы э u P методы расчетноэксперименталь. воздействии ИОНИЗИРУЮЩИХ бе ИЗJIучеНИИ' р адиацонной стойкости различных
Horo проrнозирования и о спечен ия
классов КМОП Ис. б сти применения, проектирования и производ. Для специалисТОВ в о JIa а аспирантам и студентам старших
ства ИС. Может быть рекомендован u
курсов соответствующих специальностеи.
2302030700 063 Без объявл. Н 046(01)94
ББК 32.
852
Производственное издание
Никифоров Александр Н)рьевич
Телец Виталий Арсеньевич
Чумаков Александр Иннокентьевич
РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В КМОП ие
Редакторы Ю. Н. Рысев. M. :: ЛСИАа rоршкова
Хуцожественный и техннческий реда т р . .
. Корректор т. В. Дземидович
ИБ N2 2644
ЛР N!! 010164 от 04. 01. 92 Подписано в печать 12. 01. 95
С д ано в набор 1710 94 , 2 r и у\ )а литературная Печать высокая . Формат 60Х841/1Е "Бумаrа ТlfпоrраФс . :зд. л. 10. 85 Тираж 1000 экз. У Л печ Л 953 Усл. Kp. OTT. . с. . ". . 76 С 063
Изд. N 23882 Зак. . . / 6 93
101000 Москва, Почтамт, а я
'Издательство «Радио и связь». , 101000 Москва. Почтамт. Н). . Телец В. А. ,
Чумаков А. и. , 1994
:1:"/. ".
ПРЕДИСЛОВИЕ
UUирокое применение изделий микроэлектроники в HapOДHOXO
зяйственных и оборонных объектах сделало актуальной задачу
расширения элементной базы интеrральных схем (ИС) за счет
создания больших и сверхбольших ИС (БИС и СБИС), которые'
бы обладали не только высокой степенью интеrрации и функцио':'
нальной сложности, но и устойчивостью к воздействию высокоин... тенси;вных и поСтоянно действующих низкоинтенсивных радиа ,
ционных полей. На момент издания этой книrи перечень отече
ственных радиационно стойких изделий микроэлектроники, при,':
меняемых в rражданских и военных объектах, содержит более
1000 типономиналов ИС различной степени интеrрации, в числе
которых БИС 16разрядных микропроцессоров, оперативных ЗЗ'
поминающих устройств (ОЗУ) емкостью дО 16К, постоянных и
перепроrраммируемых ЗУ (ПЗУ и ППЗУ) емкостью дО 256К,
базовых матричных кристаллов (БМК) с Числом вентелей до 5000,
610разрядных аналоrоцифровых и цифроаналоrовых преоб
разователей, а также множество типов лоrических и аналоrовых
ИС [1].