Читать онлайн «Проектирование и производство изделий электронной техники : пособие»
Автор А. П
Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
Факультет компьютерного проектирования
Кафедра электронной техники и технологии
Р
УИ
БГ
ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО ИЗДЕЛИЙ
ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
а
Рекомендовано УМО по образованию в области информатики
и радиоэлектроники в качестве пособия для специальностей
ек
1-36 04 01 «Программно-управляемые электронно-оптические системы»,
1-39 02 02 «Проектирование и производство программно-управляемых
т
электронных средств»
ио
бл
Би
Минск БГУИР 2017
УДК 621. 382-027. 31(076)
ББК 32. 844. 1я73
П79
А в т о р ы:
А. П. Достанко, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, Я. А. Соловьев,
Н. С. Ковальчук, С. Н. Мельников, А. М. Стасишина, М. В. Ермоленко
Р е ц е н з е н т ы:
кафедра интеллектуальных систем
Р
Белорусского национального технического университета
(протокол №9 от 28. 03. 2016);
УИ
доцент кафедры оптики учреждения образования
«Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины»,
кандидат технических наук, доцент Н. Н. Федосенко
БГ
а
Проектирование и производство изделий электронной
П79 техники : пособие / А. П. Достанко [и др. ]. – Минск : БГУИР, 2017. –
ек
80 с. : ил. ISBN 978-985-543-322-5. т
Включены материалы к девяти практическим работам, связанные с
ио
расчетом технологических режимов таких базовых операций, как диффузия,
ионная имплантация и окисление, а также с методикой анализа и расчета
характеристик тонкопленочных контактов типа металл – полупроводник. бл
УДК 621. 382-027. 31(076)
ББК 32. 844. 1я73
Би
ISBN 978-985-543-322-5 © УО «Белорусский государственный
университет информатики
и радиоэлектроники», 2017
2
СОДЕРЖАНИЕ
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №1 Определение профилей распределения
примесей при термической диффузии ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 4
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №2 Определение технологических режимов
процесса диффузии . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 13
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №3 Методы расчета ионно-легированных
структур... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 22
Р
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №4 Методы расчета ионно-легированных
структур (продолжение) ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...
... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 28
УИ
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №5 Определение технологических режимов
ионного легирования ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 35
БГ
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №6 Термическое окисление... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 44
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №7 Анализ и расчет характеристик
тонкопленочных контактов металл – полупроводник ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 54
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №8 Окисление ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 64
а
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №9 Определение профилей распределения
ек
тонкопленочных слоев при ионном распылении ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 70
Список использованных источников ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 79
т
ио
бл
Би
ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАНЯТИЕ №1
Определение профилей распределения примесей при термической
диффузии
В настоящее время при формировании легированных областей в объеме
твердого тела широко используется метод термической диффузии примесей и
метод ионной имплантации (внедрения) примесей.
