Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
Факультет радиотехники и электроники
Кафедра микро- и наноэлектроники
Р
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ЭЛЕМЕНТЫ
УИ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
БГ
В двух частях
Часть 2
а
Б. С. Колосницын, Д. Б. Мигас
ек
МОЩНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
т
ио
Допущено Министерством образования Республики Беларусь в качестве
учебного пособия для студентов учреждений высшего образования
бл
по специальности «Микро- и наноэлектронные технологии и системы»
Би
Минск БГУИР 2016
1
УДК 621. 382+621. 3. 049. 77(075. 8)
ББК 32. 852+32. 844. 1я73
П53
Р е ц е н з е н т ы:
кафедра физики полупроводников и наноэлектроники
Белорусского государственного университета
(протокол №6 от 21. 12. 2015);
Р
профессор кафедры микро- и нанотехники Белорусского национального
технического университета, доктор технических наук, профессор В. А. Сычик
УИ
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. БГ
П53 В 2 ч. Ч. 2 : Мощные полупроводниковые приборы : учеб. пособие /
Б. С. Колосницын, Д. Б. Мигас. – Минск : БГУИР, 2016.
– 158 с. : ил. ISBN 978-985-543-204-4 (ч. 2). а
В учебном пособии приводится подробный сравнительный анализ электриче-
ских характеристик различных приборов силовой электроники: тиристоров, бипо-
ек
лярных и полевых транзисторов, с изолированным затвором. Рассматриваются элек-
трические и конструктивные параметры гетеробиполярных и гетерополевых транзи-
сторов на основе различных полупроводниковых материалов. Анализируются воз-
т
можные потери мощности в КМОП ИМС в статическом и динамическом режимах ее
работы и пути их минимизации. Приводится сравнительный анализ электрических
параметров диодов Шоттки на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния. ио
Учебное пособие может быть полезно магистрантам. Часть 1 издана в БГУИР в 2016 году (авторы: Б. С. Колосницын, Н. В. Гапоненко). бл
УДК 621. 382+621. 3. 049. 77(075. 8)
ББК 32. 852+32. 844. 1я73
Би
ISBN 978-985-543-204-4 (ч. 2) © Колосницын Б.