Читать онлайн «Лабораторный практикум по курсу «Электроника и микросхемотехника» для студентов специальности “Автоматическое управление в технических системах”»

Она образована на двух биполярных транзисторах VT1 , VT2 , базы которых присое- динены к коллекторам взаимно противоположных транзисторов через связи, од- на из которых резистивно–емкостная ( Rб1 , C1 ), вторая емкостная ( C2 ). Эти цепи реализуют в схеме положительную обратную связь в момент смены одного со- стояния мультивибратора на второе. Рассмотрим длительно устойчивое состояние равновесия схемы. В этом ре- Р жиме на транзистор VT2 через резистор Rб 2 поступает открывающий базовый ток. Величины резисторов Rб 2 и Rк 2 выбираются так, чтобы транзистор VT2 на- УИ ходился в насыщенном состоянии (в первом приближении можно принять, что ключи К эб 2 и К эк 2 , показанные на рис. 1. 1 штриховыми линиями, замкнуты). Транзистор VT1 закрыт частью положительного напряжения, получен–ного БГ делением запирающего напряжения источника смещения Есм делителем R1 Rб1 (в первом приближении принимаем, что ключи К эб1 и К эк1 разомкнуты). Конденса- тор С2 через резистор Rк1 и ключ К эб 2 заряжен до величины Е0 , причём на об- кладке конденсатора, подключенной к коллектору VT1 , будет минусовая поляр- а ность. Так как VT1 закрыт (ключ К эк1 разомкнут), то напряжение конденсатора ек С2 не оказывает никакого влияния на работу транзистора VT2 , хотя одна его об- кладка с положительной полярностью напряжения постоянно подключена к ба- зе VT2 . Ускоряющий конденсатор С1 довольно малой величины за счёт делите- т ля R1 Rб1 заряжен частью напряжения Есм . В данном состоянии ждущий мульти- вибратор может находиться сколь угодно долго – до прихода запускающего им- ио пульса. С приходом импульса начинается процесс опрокидывания. Этот процесс включает в себя несколько этапов. Если использовать запуск схемы мультивиб- бл ратора от генератора Е зап 2 , импульсы которого открывают транзистор VT1 , то различают следующие этапы: 1. Этап подготовки, на котором за счёт запускающего импульса уменьшает- Би ся запирающее напряжение на базе VT1 до уровня, соответствующего отпира- нию транзистора ( VT1 будет находиться на границе активной зоны). 2. Этап рассасывания относится к транзистору VT2 . На этом этапе транзи- стор VT1 работает в активном режиме, его коллекторный ток увеличивается, на- пряжение на коллекторе уменьшается по абсолютной величине (приближается к нулю). Приращение напряжения через конденсатор С2 поступает на базу VT2 и способствует рассасыванию неосновных носителей из его базы. Коллекторный ток транзистора VT2 на этапе рассасывания не изменяется, также не изменяется напряжение на его коллекторе. В конце этапа транзистор будет находиться на границе активной зоны. 3. Этап регенерации, в течение которого оба транзистора работают в ак- тивном режиме. На этом этапе действует глубокая положительная связь: увели- чение коллекторного тока VT1 приводит к положительному приращению на- пряжения на его коллекторе; этот скачок коллекторного напряжения, передава- ясь через конденсатор С2 на базу VT2 , вызывает запирание данного транзисто- ра и уменьшение коллекторного тока; напряжение на коллекторе VT2 по абсо- лютной величине повышается (приближается к –E0), получая отрицательное приращение.